joint sawing - tradução para russo
Diclib.com
Dicionário ChatGPT
Digite uma palavra ou frase em qualquer idioma 👆
Idioma:     

Tradução e análise de palavras por inteligência artificial ChatGPT

Nesta página você pode obter uma análise detalhada de uma palavra ou frase, produzida usando a melhor tecnologia de inteligência artificial até o momento:

  • como a palavra é usada
  • frequência de uso
  • é usado com mais frequência na fala oral ou escrita
  • opções de tradução de palavras
  • exemplos de uso (várias frases com tradução)
  • etimologia

joint sawing - tradução para russo

THE PROCESS BY WHICH DIE ARE SEPARATED FROM A WAFER OF SEMICONDUCTOR FOLLOWING THE PROCESSING OF THE WAFER
Wafer sawing

joint sawing      

общая лексика

нарезка швов в дорожном покрытии

universal coupling         
  • Spicer universal joints for motor cars, 1916.
  • This video shows different parts and operation of the universal shaft.
MECHANISM WITH BENDABLE ROTATION AXIS
Cardan joint; Hooke joint; U-joint; U joint; Universal joints; Cardan coupling; Universal Joint; Universal coupling; Cardonic; Cardonic Joint; Hooke's joint; Hookes joint

нефтегазовая промышленность

универсальный шарнир

cardan joint         
  • Spicer universal joints for motor cars, 1916.
  • This video shows different parts and operation of the universal shaft.
MECHANISM WITH BENDABLE ROTATION AXIS
Cardan joint; Hooke joint; U-joint; U joint; Universal joints; Cardan coupling; Universal Joint; Universal coupling; Cardonic; Cardonic Joint; Hooke's joint; Hookes joint
cardan joint карданный, универсальный шарнир

Definição

Объединённый институт ядерных исследований
(ОИЯИ)

международный научный ядерно-физический центр социалистических стран. Расположен в г. Дубна (Московская область). Соглашение об учреждении ОИЯИ было подписано в Москве 26 марта 1956. В состав ОИЯИ (1974) входят учёные и специалисты 10 стран-членов: НРБ, ВНР, ДРВ, ГДР, КНДР, МНР, ПНР, СРР, СССР, ЧССР.

В соответствии с уставом, принятым 23 сентября 1956, основными задачами института являются: обеспечение совместного проведения фундаментальных теоретических и экспериментальных исследований в области ядерной физики учёными государств-членов, содействие развитию ядерной физики в этих странах, поддержание связи с заинтересованными национальными и международными организациями в деле развития ядерной физики и изыскания новых возможностей мирного применения атомной энергии. Финансирование деятельности института (научной работы, нового строительства и т.д.) производится за счёт взносов стран-членов. Независимо от размера взноса все страны-члены имеют равные права в проведении научных исследований и в управлении институтом.

Высший орган управления - Комитет полномочных представителей (в его составе 10 человек - по одному представителю от каждой страны-члена); научной деятельностью руководит Учёный совет, в который входят ведущие учёные этих стран. Директор института, 2 вице-директора, руководители лабораторий и их заместители избираются на определённые сроки Комитетом полномочных представителей или Учёным советом. Первым директором ОИЯИ был член-корреспондент АН СССР Д. И. Блохинцев, в 1964 директором избран академик Н. Н. Боголюбов. Вице-директорами избирались профессора В. Вотруба (ЧССР), Н. Содном (МНР), X. Христов (НРБ), А. Хрынкевич (ПНР), Ш. Цицейка (СРР) и др. В ОИЯИ работают (1974): академики Б. М. Понтекорво, Г. Н. Флёров, И. М. Франк, член-корреспонденты АН СССР А. М. Балдин, Н. Н. Говорун, В. П. Джелепов, М. Г. Мещеряков, Д. В. Ширков. Большой вклад в организацию и развитие ОИЯИ внесли академик В. И. Векслер и член-корреспондент АН СССР Ф. Л. Шапиро.

ОИЯИ организован на базе института ядерных проблем АН СССР и Электрофизической лаборатории АН СССР. Они стали первыми лабораториями ОИЯИ - Лабораторией ядерных проблем (ЛЯП) и Лабораторией высоких энергий (ЛВЭ). При создании ОИЯИ была организована Лаборатория теоретической физики (ЛТФ), принято решение об организации Лаборатории ядерных реакций (ЛЯР) и Лаборатории нейтронной физики (ЛНФ), в которых с 1960 начаты исследования. В 1966 была организована Лаборатория вычислительной техники и автоматизации (ЛВТА). Лаборатории ОИЯИ по масштабам и объёму научных работ являются крупными научно-исследовательскими институтами.

Исследования в области физики высоких энергий и элементарных частиц ведутся в ЛЯП на синхроциклотроне на энергию протонов 680 Мэв (запущен в 1949) и в ЛВЭ на синхрофазотроне на энергию протонов 10 Гэв (запущен в 1957). Эксперименты в этих лабораториях проводятся на пучках различных частиц: нуклонов, пи-мезонов, мюонов, К-мезонов, а также дейтронов и альфа-частиц. С помощью уникальной аппаратуры выполнены опыты по изучению важнейших свойств ядерных сил, экспериментальной проверке основных принципов современной физической теории, открыто более 100 новых изотопов химических элементов. В 1960 обнаружена новая частица - антисигма-минусгиперон.

ЛЯР проводит исследования ядерных превращений под действием ускоренных тяжёлых ионов на мощном циклотроне У-300 (запущен в 1960), а также циклотроне У-200, в которых ускоряются различные многозарядные ионы, включая 136Хе+30. Здесь синтезированы изотопы химических элементов с порядковыми номерами 102, 103, 104, 105, открыты явления ядерной изомерии с аномально коротким периодом спонтанного деления ядер и явление протонной радиоактивности. В ЛНФ в 1960 был построен оригинальный импульсный ("мигающий") реактор на быстрых нейтронах (ИБР), реконструированный в 1969 в ИБР-30 мощностью 30 квт (и мощностью в импульсе 150 Мвт). В лаборатории решаются многие задачи нейтронной спектрометрии ядер, изучаются структура и свойства конденсированных сред и ядерные реакции с заряженными частицами.

ЛВТА располагает крупным вычислительным центром, связанным в единую систему с ЭВМ, находящимися в измерительных центрах др. лабораторий. В этой лаборатории ведётся автоматизированная обработка снимков, полученных с пузырьковых и искровых камер, а также работы по автоматизации физического эксперимента.

ЛТФ проводит исследования в главных направлениях физической теории - теории поля, структуры элементарных частиц и теории их взаимодействия, теории ядра и ядерных реакций и т.д.

ОИЯИ - ведущий центр по разработке новых методов ускорения заряженных частиц, ускорительной и криогенной техники.

ОИЯИ осуществляет широкое научное сотрудничество с национальными институтами многих стран, организует международные научные совещания, конференции, школы и т.д. Труды учёных института публикуются во многих журналах мира, оперативные публикации (препринты и сообщения ОИЯИ) о выполненных здесь работах, рассылаются по 1000 адресам в 50 стран. С 1970 институт издаёт периодический журнал "Физика элементарных частиц и атомного ядра".

Лит.: Соглашение об организации ОИЯИ "Правда", 1956, 12 июля; Бирюков В. А., Лебеденко М. М., Рыжов А. М., Объединенный институт ядерных исследований, М., 1960; Объединенный институт ядерных исследований, М., 1970-71,

В. А. Бирюков.

Wikipédia

Wafer dicing

In the context of manufacturing integrated circuits, wafer dicing is the process by which die are separated from a wafer of semiconductor following the processing of the wafer. The dicing process can involve scribing and breaking, mechanical sawing (normally with a machine called a dicing saw) or laser cutting. All methods are typically automated to ensure precision and accuracy. Following the dicing process the individual silicon chips may be encapsulated into chip carriers which are then suitable for use in building electronic devices such as computers, etc.

During dicing, wafers are typically mounted on dicing tape which has a sticky backing that holds the wafer on a thin sheet metal frame. Dicing tape has different properties depending on the dicing application. UV curable tapes are used for smaller sizes and non-UV dicing tape for larger die sizes. Dicing saws may use a dicing blade with diamond particles, rotating at 30,000 RPM and cooled with deionized water. Once a wafer has been diced, the pieces left on the dicing tape are referred to as die, dice or dies. Each will be packaged in a suitable package or placed directly on a printed circuit board substrate as a "bare die". The areas that have been cut away, called die streets, are typically about 75 micrometres (0.003 inch) wide. Once a wafer has been diced, the die will stay on the dicing tape until they are extracted by die-handling equipment, such as a die bonder or die sorter, further in the electronics assembly process.

The size of the die left on the tape may range from 35 mm on a side (very large) to 0.1 mm square (very small). The die created may be any shape generated by straight lines, but they are typically rectangular or square-shaped. In some cases they can be other shapes as well depending on the singulation method used. A full-cut laser dicer has the ability to cut and separate in a variety of shapes.

Materials diced include glass, alumina, silicon, gallium arsenide (GaAs), silicon on sapphire (SoS), ceramics, and delicate compound semiconductors.

Como se diz joint sawing em Russo? Tradução de &#39joint sawing&#39 em Russo